西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。
作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、全方位的专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台，全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借卓越的技术实力和创新能力，已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的权威机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电（风电、光伏）、新能源汽车、军工国防、工业控制、科研机构等多个领域，为中国核心产业链提供坚实的技术保障。
完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点，实验室核心团队大多来自国内军工行业，研究生占比70%以上，具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面，实验室建立了完善的质量管理体系，严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书，确保测试过程的标准化和可追溯性，数据的准确性和可靠性。
长禾实验室秉持“严谨求实、创新引领、精益求精”的企业精神，致力于推动中国功率半导体产业链的高质量发展，助力打造具备全球竞争力的半导体生态系统。未来，长禾实验室将继续发挥技术和资源优势，立足西安，辐射全国，努力成长为国际一流的功率半导体测试与验证服务平台，助力中国“芯”腾飞！
功率器件参数验证与二次筛选测试：保障器件性能稳定，助力客户优化供应链质量控制。
车规级元器件检测与认证：针对新能源汽车领域，提供符合严苛车规标准的功率器件筛选与可靠性验证，助力行业客户突破核心技术瓶颈。
环境与老化实验：模拟极端环境下器件工作状态，确保产品在复杂工况中长期可靠运行。
失效分析及可靠性评估：快速精准定位元器件失效根因，为产品改进和技术迭代提供有力支撑。
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电参数测试 |
分立器件静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件； 检测能力：检测z大电压：2000V 检测z大电流：200A； 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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I-V曲线扫描 |
ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF |
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功率模块静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测z大电压：7000V，检测z大电流：5000A 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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开关特性测试（Switch） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt； |
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反向恢复测试（Qrr） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec； |
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栅极电荷（Qg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：5000A 试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd； |
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短路耐量（SCSOA） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测z大电压：4500V 检测z大电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc； |
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结电容（Cg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：频率：0.1-1MHz、检测z大电压：1500V； 试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres； |
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C-V曲线扫描 |
输入电容Ciss-V； 输出电容Coss-V； 反向传输电容Cres-V； |
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栅极电阻（Rg） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测z大电压：1500V； 试验参数：栅极等效电阻Rg |
