西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区，是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业，是国家CNAS 认可实验室，属于国家大功率器件测试服务中心。
西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。
作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、全方位的专业测试服务。实验室配备功率半导体测试设备和自动化测试平台，全面覆盖IGBT、MOSFET、二极管、晶闸管等核心功率器件的参数验证、可靠性评估和失效分析。凭借卓越的技术实力和创新能力，已成长为国内少数具备全链条功率器件测试、筛选及老化服务的权威机构之一。业务涵盖了轨道交通、新能源发电（风电、光伏）、新能源汽车、军工国防、工业控制、科研机构等多个领域，为中国核心产业链提供坚实的技术保障。
完善的基础设施和优秀团队一直是实验室强化的重点，实验室核心团队大多来自国内军工行业，研究生占比70%以上，具备深厚的学术背景和丰富的行业经验。在质量控制方面，实验室建立了完善的质量管理体系，严格执行实验室管理标准。每个测试项目均建立了详细的作业指导书，确保测试过程的标准化和可追溯性，数据的准确性和可靠性。
长禾实验室秉持“严谨求实、创新引领、精益求精”的企业精神，致力于推动中国功率半导体产业链的高质量发展，助力打造具备全球竞争力的半导体生态系统。未来，长禾实验室将继续发挥技术和资源优势，立足西安，辐射全国，努力成长为国际一流的功率半导体测试与验证服务平台，助力中国“芯”腾飞！
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分立器件静态参数测试（DC） |
执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012、GJB128B-2021 试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件； 检测能力：检测z大电压：2000V 检测z大电流：200A； 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
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I-V曲线扫描 |
ID vs.VDS at range of VGS ID vs.VGS at fixed VDS IS vs.VSD RDS vs.VGS at fixed ID RDS vs.ID at several VGS IDSS vs.VDS HFE vs.IC BVCE（O,S,R,V） vs.IC BVEBO vs.IE BVCBO vs.IC VCE（SAT） vs.IC VBE（SAT） vs.IC VBE（ON） vs.IC （use VBE test） VCE（SAT） vs.IB at a range of ICVF vs. IF |
