长禾实验室拥有的系统设备的技术团队和完善的服务体系。实验室现有的测试仪器设备100余台套测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准，以客户需求为导向，不断创新服务项目和检测技术，借助便利的服务网络，为合作伙伴提供的技术服务。
长禾实验室注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位院所、工业控制船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体（宽禁带半导体）应用解决方案服务商。
长禾实验室秉承创新务实的经营理念，为客户提供的服务、完善的解决方案及的技术支持；同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流，测试技术与服务水平不断提升。
白经理：15891485109
功
率
老
炼
高温反偏试验（HTRB）
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、EIAJED-4701100、AEC-Q101, 。
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；
试验能力：温度z高150℃；电压z高5000V；
高温栅偏试验（HTGB）
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ
ED-4701100 、AEC-Q101、 。
试验对象：MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；
试验能力：温度z高150℃；电压z高100V；
高温高湿反偏试验（H3TRB）
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、JESD22-A108、
EIAJ
ED-4701100 、AEC-Q101、 。
试验对象：DIODE、BJT、SCR、MOSFET、IGBT、SiC器件等分立器件及IGBT模块；
试验能力：温度85℃，湿度范围：25%~95%，电压z高4500V；
功率老炼测试
试验对象：IGBT、TVS、压敏电阻VDR；
试验能力：检测z大电压：4500V，检测z大电流：200A
间歇寿命试验（IOL）
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ；
试验对象：DIODE、BJT、MOSFET、IGBT及SiC器件等分立器件；
检测能力：ΔTj≧100℃ 电压z大60V，电流z大50A。
功率循环试验（PC）
执行标准：GJB128、MIL-STD-750、 ；
试验对象：IGBT模块；
检测能力：ΔTj=100℃，电压z大30V，电流z大1800A；
热阻测试（Riath）
执行标准：JESD51-1、JESD51-14、JESD24-3、JESD24-4、JESD24-6；
试验对象：各类二极管；
试验能力：瞬态热阻、稳态热阻
